SSM2310GN-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

产品型号：SSM2310GN-VB

丝印：VB1695

品牌：VBsemi

参数：
- 封装：SOT23
- 沟道类型：N—Channel
- 最大电压：60V
- 最大电流：4A
- 导通电阻（RDS(ON)）：85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压（Vth）：1~3V

封装：SOT23

应用简介：
SSM2310GN-VB是一款N沟道场效应晶体管，封装为SOT23。其主要特点是在10V和20V的情况下，具有低导通电阻（RDS(ON)为85mΩ），适用于60V的最大电压。阈值电压为1~3V，适用于低电压控制的应用场景。

适用领域和模块举例：
1. **电源管理模块：** 由于SSM2310GN-VB具有较低的导通电阻和适中的电压特性，适合用于电源管理模块，提供高效的电源开关控制。

2. **电动工具：** 在电动工具中，SSM2310GN-VB可以作为电机驱动的开关元件，帮助实现高效的电能转换。

3. **LED驱动：** 由于其N沟道特性和适中的电压范围，SSM2310GN-VB可用于LED驱动电路，实现高效的光源控制。

4. **电池管理模块：** 在需要对电池进行充放电控制的应用中，SSM2310GN-VB可以作为保护电路的关键组成部分，确保电池的安全运行。

总体而言，SSM2310GN-VB适用于需要高效能耗控制和较低导通电阻的场景，广泛用于电源管理、电动工具、LED驱动和电池管理等领域。