18N06G-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

产品简介：
VBsemi的18N06G-VB是一款N沟道场效应管，具有60V的漏极-源极电压承受能力和45A的漏极电流承受能力。其在VGS=10V和VGS=20V时的静态导通电阻（RDS(ON)）分别为24mΩ。门极阈值电压（Vth）为1.8V。该器件采用TO252封装。

详细参数说明：
- 通道类型：N沟道
- 最大漏极-源极电压：60V
- 最大漏极电流：45A
- 静态导通电阻：
  - VGS=10V时：24mΩ
  - VGS=20V时：24mΩ
- 门极阈值电压：1.8V
- 封装类型：TO252

适用领域和模块示例：
1. 电源模块：18N06G-VB适用于电源模块中的开关电源和逆变器，能够提供可靠的功率开关控制。
2. 电动工具：由于其高电压和电流承受能力，18N06G-VB可用于电动工具中的驱动电路，提供高效的电能转换。
3. 电动车辆：作为电动车辆中电机控制的一部分，该器件可以实现高效的电能转换和电机驱动，提升电动车辆的性能和能效。
4. 工业自动化：在工业自动化设备中，18N06G-VB可用于驱动各种负载，如电机、阀门和灯具，实现精确的控制和高效的能量转换。