18N6LG-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

1. 产品简介：
   18N6LG-VB是VBsemi生产的N沟道场效应晶体管，封装为TO252。它具有60V的漏极-源极电压承受能力和45A的漏极电流承受能力。在10V的栅极-源极电压下，其导通电阻(RDS(ON))为24mΩ。栅极-源极阈值电压(Vth)为1.8V。

2. 参数说明：
   - 电压承受能力：60V
   - 电流承受能力：45A
   - 导通电阻：RDS(ON) = 24mΩ @ VGS=10V
   - 阈值电压：Vth = 1.8V
   - 封装类型：TO252

3. 适用领域和模块：
   - 电源模块：由于其较高的电压和电流承受能力，18N6LG-VB适用于电源模块，特别是需要承受高电压和高电流的应用。
   - 电机驱动：该晶体管可以用于驱动电机，如直流电机或步进电机，在工业自动化、机器人和汽车电子等领域。
   - 电源开关：由于其低导通电阻和高电压承受能力，适用于电源开关，用于开关电源和逆变器等应用。
   - 照明控制：可用于LED驱动、照明控制器和电子变压器等照明应用中，实现高效能的功率控制和调光功能。