STM8601-VB一款N+P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

产品型号: STM8601-VB

丝印: VBA5638

品牌: VBsemi

参数:
- N+P—Channel沟道
- 工作电压: ±60V
- 最大工作电流: 6.5A (正电压), -5A (负电压)
- 静态漏电阻: RDS(ON)=28mΩ (在VGS=10V), RDS(ON)=51mΩ (在VGS=20V)
- 门源极阈值电压: Vth=±1.9V

封装: SOP8

产品简介:
STM8601-VB是一款N+P沟道功率场效应晶体管(MOSFET),同时具有N沟道和P沟道特性,适用于双极性工作环境。其低静态漏电阻和高工作电压使其在多种功率控制电路中表现出色。

应用领域:
1. 电动车辆: 在电动车辆的电源管理系统中,STM8601-VB可用作电动车辆电池管理模块的功率开关,实现高效率的电池充放电控制。
2. 太阳能逆变器: 该产品可用于太阳能逆变器中的功率开关模块,实现高效率的直流-交流电能转换,适用于太阳能发电系统。
3. 工业电子: 适用于工业电子设备中的电源控制模块,如工业变频器、电机驱动器等,实现精确的功率控制和高效率的能源利用。

例子:
- 在电动车辆的电池管理系统中,STM8601-VB可用于电池充放电控制模块,实现对电动车辆电池的充放电过程的精确控制,延长电池寿命并提高车辆行驶里程。
- 在太阳能逆变器中,该产品可用作逆变器的功率开关模块,控制太阳能板向电网输出的电能,提高太阳能发电系统的效率和稳定性。

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