### 1. 产品简介
VBsemi的05CN10N-VB是一款单通道N沟道MOSFET,采用槽沟技术,适用于100V的高压工作环境。它具有低导通电阻和高电流承载能力,适合在需要高效能和低功耗的电路中使用。
### 2. 参数说明
- **封装**:TO263
- **VDS**:100V
- **VGS**:20V(±)
- **阈值电压**:3V
- **导通电阻**:4mΩ @ VGS=10V
- **最大电流**:140A
### 3. 应用领域和模块示例
- **电源管理模块**:05CN10N-VB适用于需要高功率密度和高效能的电源管理模块。例如,它可以用于服务器电源、通信设备电源等领域,提供高效的电源转换和调节。
- **电动汽车驱动器**:在电动汽车驱动器中,这款MOSFET可以用于控制电机,实现高效能和高电流承载能力,提升整体驱动系统的性能。
- **工业自动化**:这款MOSFET也适用于工业自动化领域,如电机驱动器、工控设备等,以实现高功率密度和高效率的控制方案,为复杂工业系统提供稳定和高效的电源控制。
这些示例说明了05CN10N-VB在多种领域和模块中的适用性,展示了其在高功率、高效率电路中的价值和应用潜力。