以下是关于VBsemi的MOSFET产品05CN10N-VB的详细信息:
1. 产品简介:
- 型号:05CN10N-VB
- 封装:TO220
- 构造:单N沟道
- 额定漏极-源极电压(VDS):100V
- 额定栅极-源极电压(VGS):20V(±)
- 阈值电压(Vth):3V
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):在VGS=10V时为5mΩ
- 连续漏极电流(ID):120A
- 工艺:沟槽
2. 参数说明:
- VDS:100V是该MOSFET的最大漏极-源极电压,超过这个电压可能导致器件损坏。
- VGS:20V(±)是该MOSFET的最大栅极-源极电压范围,超过这个范围可能导致器件损坏。
- Vth:3V是该MOSFET的阈值电压,即当栅极电压高于3V时,MOSFET开始导通。
- RDS(ON):在VGS=10V时为5mΩ,这表示当栅极电压为10V时,MOSFET的静态漏极-源极电阻为5mΩ,这决定了MOSFET的导通时的电阻大小。
- ID:120A是该MOSFET的最大连续漏极电流,超过这个电流可能导致器件过热损坏。
3. 应用领域和模块示例:
- 电源模块:由于05CN10N-VB具有较低的漏极-源极电阻和较高的漏极电流能力,适用于高性能电源模块,如工业电源和通信设备电源。
- 汽车电子系统:可用于汽车电子系统中的DC-DC转换器和电池管理系统,由于其高电压和电流能力,提供稳定的电源和高效的能量转换。
- 工业控制模块:由于其高电压和电流能力,适用于工业控制系统中的开关控制器和逆变器,确保系统的稳定性和高效运行。
请注意,以上示例仅用于说明该MOSFET可能的应用领域和模块,实际应用需根据具体设计要求进行评估。