04N60I-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

04N60I-VB是一款单通道N沟道MOSFET，采用TO220F封装，具有650V的漏极-源极电压（VDS）、30V的栅极-源极电压（VGS，±V）、3.5V的阈值电压（Vth）、2560mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)）、以及4A的漏极电流（ID）。该产品采用Plannar技术，适用于中高压应用。

### 参数说明

- **封装：** TO220F
- **结构：** 单N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 650V
- **栅极-源极电压（VGS）：** 30V（±V）
- **阈值电压（Vth）：** 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON))：** 2560mΩ@VGS=10V
- **漏极电流（ID）：** 4A
- **技术：** Plannar

### 应用领域和模块举例

1. **电源管理：** 04N60I-VB适用于中高压电源管理，如开关电源、DC-DC变换器和逆变器等。

2. **照明：** 在需要处理高电压和电流的照明应用中，例如LED照明驱动器和照明控制系统，04N60I-VB可用于功率开关。

3. **电动工具：** 由于具有较高的漏极电压和适度的漏极电流，该产品适用于电动工具的电源开关。

4. **工业控制系统：** 在工业领域中，需要承受中高压和电流的控制系统，例如电机控制、电源管理和磁悬浮设备等，04N60I-VB可用于功率开关和电流控制。

5. **太阳能逆变器：** 在太阳能发电系统中，逆变器需要处理高压和电流，同时保持高效率和可靠性，04N60I-VB可用于逆变器的功率开关电路。