2SK2713-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

**2SK2713-VB** 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，适用于中高压应用。具有较高的漏极-源极电压和适中的导通电阻，适合要求中高压的电路设计。

### 详细参数说明

- **封装类型**：TO220F
- **配置**：单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**：650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：30（±V）
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：1100mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：7A
- **技术**：Plannar

### 应用领域和模块

**2SK2713-VB** 可以在以下领域和模块中得到应用：

1. **电源模块**：
   - 适用于中高压电源模块中的功率开关和电流控制，如电源逆变器、UPS等。

2. **照明应用**：
   - 用于LED驱动器和其他照明应用中的功率开关和电流控制。

3. **工业控制**：
   - 在工业控制系统中用作中高压负载开关和电流控制器。

4. **电动汽车充电桩**：
   - 用于电动汽车充电桩中的功率开关和电流控制，提供高效率和稳定性。

5. **太阳能逆变器**：
   - 在太阳能逆变器中用作功率开关和电流控制，实现太阳能电能的转换和输出。

### 小结

**2SK2713-VB** 是一款适用于中高压应用的单N沟道MOSFET，具有较高的漏极-源极电压和适中的导通电阻。广泛应用于电源模块、照明应用、工业控制、电动汽车充电桩和太阳能逆变器等领域，为电路设计提供中高压的解决方案。