### 产品简介
**2SK2713-VB** 是一款单N沟道MOSFET,采用TO220F封装,适用于中高压应用。具有较高的漏极-源极电压和适中的导通电阻,适合要求中高压的电路设计。
### 详细参数说明
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**:650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:30(±V)
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:7A
- **技术**:Plannar
### 应用领域和模块
**2SK2713-VB** 可以在以下领域和模块中得到应用:
1. **电源模块**:
- 适用于中高压电源模块中的功率开关和电流控制,如电源逆变器、UPS等。
2. **照明应用**:
- 用于LED驱动器和其他照明应用中的功率开关和电流控制。
3. **工业控制**:
- 在工业控制系统中用作中高压负载开关和电流控制器。
4. **电动汽车充电桩**:
- 用于电动汽车充电桩中的功率开关和电流控制,提供高效率和稳定性。
5. **太阳能逆变器**:
- 在太阳能逆变器中用作功率开关和电流控制,实现太阳能电能的转换和输出。
### 小结
**2SK2713-VB** 是一款适用于中高压应用的单N沟道MOSFET,具有较高的漏极-源极电压和适中的导通电阻。广泛应用于电源模块、照明应用、工业控制、电动汽车充电桩和太阳能逆变器等领域,为电路设计提供中高压的解决方案。