2SK2701-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

**2SK2701-VB** 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用TO220封装形式，具有优异的导通性能和高可靠性。其额定漏源电压（VDS）为500V，栅源电压（VGS）为±30V，栅极阈值电压（Vth）为3.1V。在VGS=10V时，RDS(ON)为660mΩ，最大连续漏电流（ID）可达13A。该器件采用Plannar技术制造，适用于需要高电压和高性能的应用场合。

### 详细参数说明

- **型号**: 2SK2701-VB
- **封装形式**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 500V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3.1V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 660mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 13A
- **技术**: Plannar

### 应用领域及模块

**2SK2701-VB** 适用于需要高电压和高性能的电子设备和系统，特别适用于以下领域和模块：

1. **电源管理**:
   - **开关电源**: 作为高电压开关电源中的功率开关器件，提供稳定的电源输出。

2. **工业电子**:
   - **高压工业设备**: 在高压工业设备中的功率开关器件，如高压电源、高压变频器等。

3. **电动车充电桩**:
   - **快速充电桩**: 用于电动车快速充电桩中的功率开关器件。

4. **太阳能逆变器**:
   - **大功率太阳能逆变器**: 在大功率太阳能逆变器中的功率开关器件，提供高效的能源转换。

5. **医疗设备**:
   - **医疗电子设备**: 在需要高性能、高可靠性的医疗电子设备中的功率开关器件。

2SK2701-VB MOSFET以其高电压和高性能，适用于各种需要稳定、高效的功率控制和转换的应用场合。