058N03M-VB一款N-Channel沟道DFN8(3X3)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

以下是VBsemi公司的MOSFET产品058N03M-VB的详细信息：

1. 产品简介：

   058N03M-VB是一款单N沟道（Single-N-Channel）MOSFET，采用Trench技术制造，适用于各种领域和模块的电路设计。其主要特点包括30V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS）、1.7V的阈值电压（Vth）、5mΩ@VGS=4.5V和3.9mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)）、以及60A的漏极电流（ID）。

2. 参数说明：

   - 型号：058N03M-VB
   - 封装：DFN8(3X3)
   - 极性：N沟道
   - 漏极-源极电压（VDS）：30V
   - 栅极-源极电压（VGS）：±20V
   - 阈值电压（Vth）：1.7V
   - 导通电阻（RDS(ON)）：5mΩ@VGS=4.5V、3.9mΩ@VGS=10V
   - 漏极电流（ID）：60A
   - 技术：Trench

3. 应用举例：

   058N03M-VB适用于多种领域和模块，例如：

   - 电源管理：适用于低电压和高电流的电源开关和稳压器，提供高效的能源转换。
   - 电机驱动：用于电动工具、家用电器和工业机械的电机控制，具有高效率和高可靠性。
   - 车载电子：适用于汽车电子系统中的电源管理和驱动控制，提升车辆性能和能效。
   - 工业控制：用于工业自动化和机器人控制等领域，满足高功率和高频率要求。

以上是058N03M-VB MOSFET产品的详细信息及其适用领域和模块的举例说明。