11N50G-TA3-T-VB一种N-Channel沟道TO220封装MOS管

### 产品简介

**型号：11N50G-TA3-T-VB TO220**

VBsemi的11N50G-TA3-T-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，采用先进的SJ_Multi-EPI技术设计，具有低导通电阻和高电压承受能力，适用于各种高压功率应用。

### 参数说明

- **封装**：TO220
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：650V
- **栅源电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：500mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**：9A
- **技术**：SJ_Multi-EPI

### 应用领域和模块示例

1. **电源逆变器**：
   - **工业用途**：11N50G-TA3-T-VB适用于工业级电源逆变器中的高压开关，如变频空调、变频电机等，能够提供可靠的高压开关功能。
   - **太阳能逆变器**：在太阳能逆变器中，这款MOSFET可以作为高压开关器件，提供高效的太阳能电能转换，适用于太阳能发电系统。

2. **电动汽车充电桩**：
   - **直流快充桩**：11N50G-TA3-T-VB可以用作直流快充桩中的高压开关，确保电动汽车的快速充电和高效能转换。
   - **交流充电桩**：在交流充电桩中，这款MOSFET可以用于高压开关，提供高效的电能转换，适用于城市和道路充电设施。

3. **电源管理**：
   - **高压开关电源**：适用于各种高压开关电源中的高压开关器件，如服务器电源、工控电源等，提供稳定可靠的电源管理功能。
   - **电源逆变器**：在电源逆变器中，这款MOSFET可以用于高压开关，提供高效能转换和电能管理，适用于各种电源系统。

4. **医疗设备**：
   - **X射线发生器**：11N50G-TA3-T-VB可用于X射线发生器中的高压开关，确保X射线发生器的稳定和高效能工作。
   - **医疗成像设备**：在医疗成像设备中，这款MOSFET可以用于高压开关，提供高质量的成像和稳定的设备工作。

通过其优秀的电气性能和广泛的应用范围，VBsemi的11N50G-TA3-T-VB MOSFET为各种高压高功率应用提供了可靠和高效的解决方案。