### 产品简介
**型号:120N06N-VB TO263**
VBsemi的120N06N-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,采用先进的Trench技术设计,具有低导通电阻和高电流承受能力,适用于各种中压高功率应用。
### 参数说明
- **封装**:TO263
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:60V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:12mΩ @ VGS = 4.5V, 11mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:75A
- **技术**:Trench
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理**:
- **直流-直流变换器**:120N06N-VB适用于直流-直流变换器中的高功率开关,如电动汽车电源管理系统、工业电源等,提供高效的电能转换和管理。
- **电源开关**:在各种电源开关中,这款MOSFET可以用于高功率开关器件,提供稳定可靠的电源开关功能。
2. **电动汽车**:
- **电动汽车控制器**:在电动汽车控制器中,120N06N-VB可以用作高功率开关,确保电动汽车的高效能转换和控制。
- **充电桩**:在电动汽车充电桩中,这款MOSFET可以用于高功率开关,提供高效的充电和电能转换。
3. **工业自动化**:
- **工业电源**:适用于各种工业电源中的高功率开关,如机器人、自动化生产线等,提供稳定可靠的电源管理和控制功能。
- **变频器**:在工业变频器中,这款MOSFET可以用于高功率开关,提供高效的电能转换和控制,适用于工业驱动系统。
4. **消费电子**:
- **电源逆变器**:120N06N-VB可用于各种消费电子产品中的高功率开关,如电视、音响系统等,提供高效的电能转换和管理。
- **LED驱动器**:在LED驱动器中,这款MOSFET可以用于高功率开关,提供稳定的LED驱动和控制。
通过其优秀的电气性能和广泛的应用范围,VBsemi的120N06N-VB MOSFET为各种中压高功率应用提供了可靠和高效的解决方案。