12N60H-VB TO220一种N-Channel沟道TO220封装MOS管

### 12N60H-VB TO220 产品简介

**产品概述**：
12N60H-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用Plannar技术制造，具有低导通电阻和高电压承受能力。这款MOSFET封装在TO220中，适用于需要高效率和高可靠性的中高压电源管理应用。

**产品特点**：
- **高电压承受能力**：VDS为600V，适用于中高压应用。
- **高栅极电压**：VGS为±30V，提供较大的设计灵活性。
- **低阈值电压**：Vth为3.5V，易于驱动。
- **低导通电阻**：RDS(ON)为288mΩ@VGS=4.5V，360mΩ@VGS=10V，提高效率，降低功耗。
- **高电流能力**：ID为12A，适用于中高电流应用。

### 12N60H-VB TO220 详细参数说明

- **封装**：TO220
- **配置**：单N沟道
- **漏源极电压（VDS）**：600V
- **栅源极电压（VGS）**：±30V
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：288mΩ@VGS=4.5V，360mΩ@VGS=10V
- **连续漏极电流（ID）**：12A
- **技术**：Plannar

### 应用领域和模块

**电源管理模块**：
在中高压电源管理模块中，12N60H-VB 可用作功率开关元件，用于实现高效率的电源转换和稳定的电压输出。其低导通电阻和高电压承受能力，使其在电源管理模块中具有优异的性能。

**电动车充电桩**：
在电动车充电桩中，该MOSFET可用于充电桩控制电路中的功率开关元件，用于控制充电桩的充电和停止状态。其高电压承受能力和低导通电阻，有助于提高充电桩的效率和稳定性。

**电力传输和分配**：
在电力传输和分配系统中，该MOSFET可用于高压直流输电系统中的开关元件，用于控制电力传输和分配。其高电压承受能力和低导通电阻，有助于提高系统的效率和可靠性。

**工业自动化**：
在工业自动化系统中，该MOSFET可用于控制系统中的高压设备和电路，如电机控制和电源管理。其高电压承受能力和低导通电阻，有助于提高工业自动化系统的效率和稳定性。

**LED照明**：
在LED照明系统中，该MOSFET可用于LED驱动电路中的功率开关元件，用于控制LED灯的亮度和开关。其高电压承受能力和低导通电阻，有助于提高LED照明系统的效率和稳定性。

通过以上应用实例，可以看出12N60H-VB MOSFET在各个领域和模块中都有广泛的应用前景，能够满足中高压范围内的高性能和高可靠性需求。