25CN10N-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

### 一、产品简介

25CN10N-VB 是 VBsemi 生产的一款高性能单N沟道MOSFET，封装为TO252，适用于中压、高功率的电源开关和电机驱动等应用。采用沟槽技术（Trench），具有低导通电阻和高电流能力。

### 二、详细参数说明

- **型号**：25CN10N-VB
- **封装**：TO252
- **配置**：单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**：100V
- **栅源极电压 (VGS)**：20（±V）
- **阈值电压 (Vth)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：18mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：45A
- **技术**：沟槽技术（Trench）

### 三、应用领域和模块示例

1. **电源开关**：25CN10N-VB 适用于中压高功率的电源开关，如工业电源、逆变器等。其低导通电阻和高漏极电流使其在高功率环境中具有良好的性能。

2. **电机驱动**：在需要高功率和高效能的电机驱动系统中，25CN10N-VB 可以作为电机控制器的关键部件，提供高效能的功率开关和电流控制。

3. **电动汽车充电桩**：在电动汽车充电桩中，该MOSFET可以用于功率开关和电流控制，确保电动汽车安全、快速地充电。

4. **UPS系统**：在不间断电源系统中，25CN10N-VB 可以用作电池充电和放电的开关元件，保障UPS系统的稳定运行。

5. **LED照明**：在需要高功率LED照明系统中，该MOSFET可以用于电流控制和功率开关，确保LED灯具的稳定亮度和长寿命。

综上所述，25CN10N-VB 在中压、高功率应用领域有着广泛的应用前景，具有稳定可靠的性能和高效的电能转换能力。