25CNE8N-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

### 一、25CNE8N-VB产品简介

25CNE8N-VB是VBsemi公司推出的一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于中功率和中电流的应用。该器件具有低导通电阻和高可靠性，适用于各种功率控制和开关电路。

### 二、25CNE8N-VB详细参数说明

- **型号：** 25CNE8N-VB
- **封装类型：** TO252
- **配置：** 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)：** 80V
- **栅极-源极电压 (VGS)：** ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)：** 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))：** 5mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)：** 75A
- **技术：** Trench

### 三、25CNE8N-VB的应用领域和模块示例

25CNE8N-VB MOSFET适用于以下领域和模块：

1. **电源供应：** 在中功率电源供应模块中，25CNE8N-VB可用于开关电源和逆变器，提供中等功率输出。

2. **电动工具：** 在电动工具和电动机械中，25CNE8N-VB可用于电机驱动控制，提供中等功率输出和稳定性能。

3. **照明系统：** 在LED照明系统中，25CNE8N-VB可用于电源控制和调光模块，提供高效的能源转换和稳定的光输出。

4. **电动车辆：** 在电动自行车和电动滑板车等电动车辆中，25CNE8N-VB可用于电机驱动控制，提供中等功率输出和高效能转换。

5. **工业控制：** 在中功率工业控制系统中，25CNE8N-VB可用于开关电源、电机驱动、逆变器等模块，提供稳定的功率输出和可靠的性能。

通过以上示例，可以看出25CNE8N-VB在中功率和中电流处理能力要求的各种应用中发挥着重要作用，为这些应用提供了可靠的电力控制和开关功能。