VBsemi 18NM80-VB TO220F MOSFET产品简介:
18NM80-VB TO220F是一款单N沟道场效应管,具有800V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS)(±V),3.5V的阈值电压(Vth),205mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON)),以及20A的漏极电流(ID)。采用了SJ_Multi-EPI技术。
详细参数说明:
- 封装:TO220F
- 类型:单N沟道(Single-N-Channel)
- VDS(漏极-源极电压):800V
- VGS(栅极-源极电压):30V(±V)
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 导通电阻(RDS(ON)):205mΩ@VGS=10V
- 漏极电流(ID):20A
- 技术:SJ_Multi-EPI
适用领域和模块示例:
1. 电源模块:18NM80-VB TO220F适用于高压电源模块,如开关电源和逆变器设计。
2. 照明应用:可用于LED驱动器和照明系统,实现高效能量转换和亮度控制。
3. 汽车电子:适用于汽车电子模块,如电动汽车充电器和车载电源管理器。
4. 工业控制:在工业自动化和机器人领域,该器件可用于高压开关电路和电机控制器设计。
5. 太阳能逆变器:用于太阳能逆变器模块,实现太阳能电池板的能量转换和管理。
这些是18NM80-VB TO220F MOSFET在各个领域和模块上的一些示例应用。