1N60L-TF3-T-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品简介：**
1N60L-TF3-T-VB是一款单N沟道功率MOSFET，具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），和3.5V的阈值电压（Vth）。该器件采用了Plannar技术，适用于低功率应用。

**详细参数：**
- **VDS（漏极-源极电压）:** 650V
- **VGS（栅极-源极电压）:** 30V（±V）
- **阈值电压（Vth）:** 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）:** 1700mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）:** 2A
- **封装:** TO220F
- **技术:** Plannar

**适用领域和模块：**
1N60L-TF3-T-VB适用于低功率应用，包括但不限于：
1. **电源管理：** 用于低功率开关电源、逆变器和稳压器等模块中，以提供可靠的电能转换和控制。
2. **照明应用：** 用于低功率LED照明、室内照明等场合中，以提供高效、可靠的照明解决方案。
3. **电池管理：** 用于低功率锂电池管理系统、充电器等模块中，以实现高效的电池管理和充电控制。

总的来说，1N60L-TF3-T-VB MOSFET是一款适用于低功率应用的MOSFET，具有可靠的性能和广泛的应用领域。