### 产品简介
VBsemi的200N4F3-VB是一款单N沟道场效应管(MOSFET),具有40V的漏极-源极电压(VDS)和20V的门极-源极电压(VGS)。该器件采用Trench技术制造,具有优异的性能和可靠性。它的漏极-源极导通电阻(RDS(ON))为15mΩ(在VGS=4.5V时)和2mΩ(在VGS=10V时),最大漏极电流(ID)为180A。这使得200N4F3-VB适用于高功率、高频率应用,如电源开关、电机驱动器等。
### 详细参数说明
- **Package**:TO220
- **Configuration**:Single-N-Channel
- **VDS**:40V
- **VGS**:20V(±)
- **Vth**:3V
- **RDS(ON)**:15mΩ @ VGS=4.5V;2mΩ @ VGS=10V
- **ID**:180A
- **Technology**:Trench
### 适用领域和模块示例
200N4F3-VB适用于高功率、高频率应用,包括但不限于:
1. **电源开关**:由于其低漏极-源极导通电阻和高功率特性,200N4F3-VB可用于高功率电源开关,如服务器电源、电源放大器等。
2. **电机驱动器**:在需要高功率电机驱动器的应用中,如工业机械、电动汽车等,200N4F3-VB可以实现高效的电机控制。
3. **电动工具**:在需要高功率、高效率的电动工具中,200N4F3-VB可以用作电机驱动器的开关器件,提供高效的能量转换。
4. **电源放大器**:由于其高功率特性,200N4F3-VB适用于音响设备、汽车音响等需要高功率放大器的应用。
总之,200N4F3-VB是一款高功率、高频率应用的MOSFET,适用于各种高功率领域和模块。