### 20N65M5-VB 产品简介
**20N65M5-VB** 是一款单极性 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封装,具有高电压和高电流处理能力。它采用了 SJ_Multi-EPI 技术,能够在高压环境下提供稳定的性能。
### 详细参数说明
| **参数** | **数值** |
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| **封装** | TO220F |
| **配置** | 单-N-Channel |
| **漏源极电压 (VDS)** | 650V |
| **栅源极电压 (VGS)** | ±30V |
| **阈值电压 (Vth)** | 3.5V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 160mΩ @ VGS=10V |
| **连续漏极电流 (ID)** | 20A |
| **技术** | SJ_Multi-EPI |
### 适用领域和模块
1. **电源逆变器**:20N65M5-VB 可以用于太阳能逆变器、风力发电逆变器等高压环境下的电源逆变器中,将直流电转换为交流电。
2. **电动汽车充电桩**:在电动汽车充电桩中,需要高电压和高电流的 MOSFET 来控制电流的传输和充电效率。20N65M5-VB 可以用于充电桩中的功率转换和控制电路。
3. **工业高压设备**:一些工业设备,如工业电机、高压电源和电力传输设备,需要能够承受高电压和高电流的 MOSFET 来保证设备的正常运行。20N65M5-VB 可以应用于这些设备的功率开关和调节电路中。
4. **电力供应系统**:20N65M5-VB 可以用于电力供应系统中的功率开关和调节电路,以确保系统的稳定性和高效率。
5. **LED 照明**:在 LED 照明领域,20N65M5-VB 可以用于 LED 驱动器和控制器中,提供稳定的电流和高效的能源利用率。