21NM60ND-VB TO263一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 一、产品简介

**型号：21NM60ND-VB TO263**

VBsemi的21NM60ND-VB TO263是一款高性能单N沟道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技术。该器件具有高耐压、低导通电阻等特点，适用于各种高压电源电子应用场合。其TO263封装适合中高功率电路设计，具有良好的散热性能和可靠性。

### 二、详细参数说明

- **封装类型**：TO263
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压（VDS）**：650V
- **栅源电压（VGS）**：±30V
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：160mΩ @ VGS=10V
- **连续漏电流（ID）**：20A
- **技术**：SJ_Multi-EPI技术

### 三、应用领域和模块举例

**1. 电源供应**

21NM60ND-VB适用于高压电源电子应用，如开关电源和逆变器。其高耐压特性和低导通电阻可实现高效的能量转换，适用于工业和通信设备中的电源管理模块。

**2. 电动汽车充电桩**

该MOSFET可用于电动汽车充电桩中的充电控制器。其高耐压和高电流承载能力可应对高功率充电需求，并保证系统的安全性和稳定性。

**3. 汽车电子**

在汽车电子领域，21NM60ND-VB可以用于汽车电池管理系统（BMS）和车载电源模块中。其高耐压和高电流能力可满足汽车电子系统中的高功率需求，同时保证系统的稳定性和安全性。

**4. 工业控制**

该器件适用于工业控制领域，如PLC和工业机器人中的开关和驱动电路。其高可靠性和耐用性确保在恶劣工业环境中稳定运行，适用于各种自动化控制系统。

**5. 太阳能逆变器**

21NM60ND-VB还可以应用于太阳能逆变器中，用于控制太阳能电池板和电网之间的能量转换。其高效能和低损耗有助于提高太阳能电站的能量转换效率。

以上示例展示了21NM60ND-VB在不同领域和模块中的广泛适用性，说明了其在各类高压电源电子设备中的重要性和优越性。