### 产品简介:
VBsemi 18NM60N-VB TO263 MOSFET是一款单N沟道功率MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS)和30V的最大门极-源极电压(VGS)。采用SJ_Multi-EPI技术,具有低导通电阻和高可靠性,适用于高压功率电子应用。
### 详细参数说明:
- **封装:** TO263
- **器件类型:** 单N沟道MOSFET
- **漏极-源极电压(VDS):** 650V
- **最大门极-源极电压(VGS):** ±30V
- **阈值电压(Vth):** 3.5V
- **漏极-源极导通电阻(RDS(ON)):**
- VGS = 10V时:300mΩ
- **漏极电流(ID):** 15A
- **技术:** SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块示例:
1. **电源模块:** 18NM60N-VB TO263适用于高压开关电源和直流-直流转换器,可用于工业和通信设备中的电源模块。
2. **太阳能逆变器:** 在太阳能逆变器中,这款MOSFET可以用于直流-交流转换器,提供高效率的能量转换。
3. **电动汽车充电桩:** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻,18NM60N-VB TO263适用于电动汽车充电桩中的功率开关。
4. **工业控制系统:** 这款MOSFET可用于工业控制系统中的高压开关器件,提供可靠的电力控制。
5. **高压直流输电(HVDC)系统:** 在HVDC系统中,18NM60N-VB TO263可用于开关装置,帮助实现高效的能量传输。
这些示例说明了18NM60N-VB TO263 MOSFET在高压功率应用中的应用,展示了其在各种领域和模块中的高性能和可靠性。