2N65L-TM3-T-VB一种N-Channel沟道TO251封装MOS管

### 产品简介

**2N65L-TM3-T-VB**是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi生产，采用TO251封装。这款MOSFET具有650V的漏源电压（VDS）和30V（±）的栅源电压（VGS）。其开启阈值电压（Vth）为3.5V，导通电阻（RDS(ON)）在栅源电压为10V时为4300mΩ，最大漏极电流（ID）为2A。采用Plannar技术，适用于低功率应用场景。

### 详细参数说明

| 参数                | 规格                    |
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| 封装类型            | TO251                  |
| 配置                | 单N沟道                |
| 漏源电压（VDS）     | 650V                   |
| 栅源电压（VGS）     | 30V（±）               |
| 开启阈值电压（Vth） | 3.5V                   |
| 导通电阻（RDS(ON)） | 4300mΩ@VGS=10V         |
| 最大漏极电流（ID）  | 2A                     |
| 技术                | Plannar                |

 

### 应用领域和模块

1. **电源管理**：2N65L-TM3-T-VB MOSFET适用于低功率电源管理，如低功率逆变器、电源适配器等。其低导通电阻和适中的漏源电压使其能够提供高效的电能转换。

2. **LED照明驱动**：在LED照明驱动电路中，这款MOSFET可以用来控制LED灯条、LED灯泡等的亮度和开关。其高漏源电压和低导通电阻特性使其能够提供稳定的驱动电流。

3. **电动汽车充电桩**：在电动汽车充电桩中，2N65L-TM3-T-VB MOSFET用于直流充电桩的功率转换和控制。其高压和低功率特性确保了充电过程的高效率和稳定性。