2SK2687-01-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

2SK2687-01-VB 是一款单 N 通道 MOSFET，采用 TO220 封装。该器件具有30V漏极-源极电压（VDS），适用于低压应用场合。主要特点包括70A的漏极电流（ID）、10mΩ @ VGS=4.5V 和 7mΩ @ VGS=10V 的导通电阻（RDS(ON)）、1.7V的阈值电压（Vth），以及采用沟道结构技术制造，提供优异的导通和开关性能。

### 详细参数说明

- **型号**：2SK2687-01-VB
- **封装**：TO220
- **配置**：单 N 通道
- **漏极-源极电压 (VDS)**：30V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：10mΩ @ VGS=4.5V，7mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：70A
- **技术**：沟道结构

### 应用领域和模块

2SK2687-01-VB 适用于低压高电流应用场合。

1. **电源模块**：在需要高效能量转换和低压降的电源模块中，该器件可用于提供稳定的电流和降低导通损耗。

2. **电机驱动**：在需要高电流驱动和低导通电阻的电机驱动系统中，2SK2687-01-VB 能够提供稳定的电流输出和高效的功率传输。

3. **汽车电子**：在汽车电子系统中，该器件可用于驱动各种负载，如电动窗户、电动座椅等，提供高效能量转换和可靠性。

4. **工业控制**：在各种工业控制系统中，2SK2687-01-VB 能够提供稳定的开关性能和高电流驱动，适用于需要高功率和高可靠性的场合。

5. **消费类电子产品**：在一些消费类电子产品中，如电源适配器、电池充电器等，该器件可用于提供高效的电能转换和稳定的电流输出。

综上所述，2SK2687-01-VB 是一款适用于低压高电流应用的 MOSFET，具有优异的导通性能和可靠性，适用于电源模块、电机驱动、汽车电子、工业控制和消费类电子产品等领域。