### 产品简介
2SK2687-01-VB 是一款单 N 通道 MOSFET,采用 TO220 封装。该器件具有30V漏极-源极电压(VDS),适用于低压应用场合。主要特点包括70A的漏极电流(ID)、10mΩ @ VGS=4.5V 和 7mΩ @ VGS=10V 的导通电阻(RDS(ON))、1.7V的阈值电压(Vth),以及采用沟道结构技术制造,提供优异的导通和开关性能。
### 详细参数说明
- **型号**:2SK2687-01-VB
- **封装**:TO220
- **配置**:单 N 通道
- **漏极-源极电压 (VDS)**:30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:10mΩ @ VGS=4.5V,7mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:70A
- **技术**:沟道结构
### 应用领域和模块
2SK2687-01-VB 适用于低压高电流应用场合。
1. **电源模块**:在需要高效能量转换和低压降的电源模块中,该器件可用于提供稳定的电流和降低导通损耗。
2. **电机驱动**:在需要高电流驱动和低导通电阻的电机驱动系统中,2SK2687-01-VB 能够提供稳定的电流输出和高效的功率传输。
3. **汽车电子**:在汽车电子系统中,该器件可用于驱动各种负载,如电动窗户、电动座椅等,提供高效能量转换和可靠性。
4. **工业控制**:在各种工业控制系统中,2SK2687-01-VB 能够提供稳定的开关性能和高电流驱动,适用于需要高功率和高可靠性的场合。
5. **消费类电子产品**:在一些消费类电子产品中,如电源适配器、电池充电器等,该器件可用于提供高效的电能转换和稳定的电流输出。
综上所述,2SK2687-01-VB 是一款适用于低压高电流应用的 MOSFET,具有优异的导通性能和可靠性,适用于电源模块、电机驱动、汽车电子、工业控制和消费类电子产品等领域。