HUFA76419D3S-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

## 产品简介：

**型号：** HUFA76419D3S-VB  
**品牌：** VBsemi  
**封装：** TO252  

HUFA76419D3S-VB是一款N沟道MOSFET，设计用于应对高压、高电流的应用场景。具有60V的漏极-源极电压承受能力和45A的漏极电流承受能力，适用于各种功率控制和开关电路。

## 参数说明：

- **沟道类型：** N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）:** 60V
- **漏极电流（ID）:** 45A
- **导通电阻（RDS(ON)):** 24mΩ @ VGS=10V, 20V
- **阈值电压（Vth):** 1.8V
- **封装类型:** TO252  

## 详细参数说明：

1. **漏极-源极电压（VDS）：** 该参数表示MOSFET可以承受的最大漏极-源极电压，即在正常工作状态下，电压不能超过该值，否则可能会损坏器件。

2. **漏极电流（ID）：** 表示MOSFET能够承受的最大漏极电流，即在正常工作状态下，电流不能超过该值，否则可能会导致器件过热或损坏。

3. **导通电阻（RDS(ON))：** 这是MOSFET在导通状态下的电阻值，也称为导通电阻。低导通电阻意味着更小的功率损耗和更高的效率。

4. **阈值电压（Vth)：** 这是MOSFET的门阈电压，表示当施加在栅极上的电压超过此值时，器件开始导通。

## 应用领域和模块示例：

1. **电源模块：** HUFA76419D3S-VB可用于开关电源模块中的功率开关部分，帮助实现高效率和高性能的电源设计。

2. **电机驱动：** 在电机驱动系统中，这款MOSFET可用于电机控制电路，实现高效能的电机控制和调速功能。

3. **电动车电池管理系统（BMS）：** 在电动车电池管理系统中，HUFA76419D3S-VB可用于电池充放电控制和保护电路，确保电池系统的安全运行。

4. **LED照明：** 在LED照明驱动电路中，这款MOSFET可用于调光和控制LED灯的亮度，实现灯光的亮度调节和节能控制。

5. **工业自动化：** 在工业控制系统中，HUFA76419D3S-VB可用于驱动各种执行器和传感器，实现自动化控制和数据采集。 

HUFA76419D3S-VB的特性使其适用于多种领域和模块，为电子系统提供了稳定可靠的性能。