IPD90P04P4L-04-VB一种P沟道TO252封装MOS管

型号：IPD90P04P4L-04-VB
丝印：VBE2406
品牌：VBsemi

参数说明：
- 类型：P沟道
- 额定电压：-40V
- 最大电流：-110A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：4.8mΩ @ 10V, 6mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压（Vth）：-2V
- 封装类型：TO252

应用简介：
IPD90P04P4L-04-VB是一款P沟道功率MOSFET，适用于多种领域模块，具有以下应用潜力：

1. 电源管理模块：这款MOSFET的额定电压和极低的导通电阻使其非常适合电源开关、电源调节和稳压模块，以提供高效的电源管理。

2. 电机驱动：在电机控制和驱动应用中，IPD90P04P4L-04-VB可用作电流控制开关，有助于实现电机的高效控制和运行。

3. 电池保护：该产品的低阈值电压使其成为电池保护模块的理想选择，以确保电池在各种工作条件下安全运行。

4. 电源逆变器：在太阳能逆变器和电源逆变器中，IPD90P04P4L-04-VB可用于高效地转换和管理电能，确保电源系统的可靠性。

综上所述，IPD90P04P4L-04-VB适用于多个领域，包括电源管理、电机驱动、电池保护和电源逆变器等模块。其卓越的性能参数使其成为各种应用中的理想选择。