IPD06N03LAG-VB一种N沟道TO252封装MOS管

型号: IPD06N03LAG-VB
丝印: VBE1206
品牌: VBsemi
参数:
- 沟道类型: N—Channel
- 额定电压: 20V
- 额定电流: 145A
- 导通电阻 (RDS(ON)): 3mΩ @ VGS=4.5V, VGS=15V
- 阈值电压 (Vth): 0.87V
- 封装: TO252

应用简介:
VBsemi的IPD06N03LAG-VB是一款高性能N—Channel沟道场效应晶体管，具有高额定电流和低导通电阻的特点。适用于高功率、高频率的应用场景，广泛应用于各种电源系统和功率模块。

**主要特点:**
1. 高额定电流，适用于大功率应用。
2. 低导通电阻，提供高效率的电源控制性能。
3. 宽工作电压范围，适用于多种电源系统。

**应用领域:**
1. 电源开关模块
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动和控制系统
4. 高功率电源逆变器

**使用注意事项:**
1. 在设计中请确保正确连接器件，避免反接和过载情况，以防损坏器件。
2. 请按照数据手册提供的最大额定值使用电压和电流，以确保稳定可靠的性能。
3. 注意适当的散热措施，以维持器件在工作过程中的合适温度。

以上信息供参考，请在使用前详细阅读产品数据手册，并根据具体应用场景进行验证和调整。