SI2316BDS-T1-GE3-VB 是 VBsemi 公司生产的 N-Channel 沟道场效应晶体管,具有以下详细参数:
- 封装:SOT23
- 额定电压:30V
- 额定电流:6.5A
- 漏极-源极电阻:30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:1.2~2.2V
应用简介:
SI2316BDS-T1-GE3-VB 适用于各种电子设备和模块,特别在需要控制电流的场景中表现出色。由于其 N-Channel 沟道设计,它可以广泛应用于功率开关、电源管理和其他需要高效能耗的领域。
主要应用领域:
1. **电源管理模块:** 在电源管理模块中,SI2316BDS-T1-GE3-VB 可以用于开关电源、稳压器等电路,提供高效的电源控制。
2. **电流控制模块:** 由于其高额定电流和低漏极-源极电阻,适用于需要精准电流控制的模块。
3. **电动工具和电机驱动:** 用于控制电机和电动工具,确保高效的能量传递和电流控制。
请注意,确保按照数据手册中的规格和建议使用此器件,并根据具体应用场景选择合适的工作条件。