**SI2303BDS-T1-GE3-VB**
- **丝印:** VB2355
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 额定电压:-30V
- 最大电流:-5.6A
- 导通电阻(RDS(ON)):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):-1V
- **封装:** SOT23
**详细参数说明:**
SI2303BDS-T1-GE3-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管,采用SOT23封装。其主要电气特性包括额定电压为-30V,最大电流为-5.6A,导通电阻为47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V,阈值电压为-1V。
**应用简介:**
SI2303BDS-T1-GE3-VB适用于多种电源管理和开关电路应用。其P—Channel设计使其在特定场合下能够提供高效的电源控制。由于其性能特点,该器件常见于以下领域和模块:
1. **电源开关模块:** SI2303BDS-T1-GE3-VB可用于设计高效的电源开关模块,如稳压器和开关电源。
2. **电池管理系统:** 由于低阈值电压和低导通电阻,该器件适用于电池管理系统,提供有效的电源开关控制。
3. **电流控制模块:** 在需要P—Channel MOSFET进行电流控制的电路中,SI2303BDS-T1-GE3-VB可以发挥作用。
4. **LED驱动器:** 适用于LED照明应用,提供高效的电流调节和开关控制。
请注意,在具体应用中,确保根据SI2303BDS-T1-GE3-VB的规格书和设计手册进行正确的设计和使用。