SSG4825PE-VB一款P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品型号：** SSG4825PE-VB

**丝印：** VBA2311

**品牌：** VBsemi

**参数：**
- **沟道类型：** P—Channel
- **最大电压：** -30V
- **最大电流：** -11A
- **导通电阻：** RDS(ON) = 10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压：** Vth = -1.42V

**封装：** SOP8

**详细参数说明：**
SSG4825PE-VB属于P—Channel沟道功率MOSFET系列，具备卓越的性能参数。其最大电压可达-30V，最大电流达到-11A。在VGS=10V和VGS=20V时，导通电阻（RDS(ON)）均为10mΩ，表现出出色的导通特性。阈值电压Vth为-1.42V，表明在低电压条件下具有敏感的触发能力。

**应用简介：**
SSG4825PE-VB广泛适用于多个领域，具体包括但不限于：
1. **电源管理模块：** 由于其低导通电阻和高电流能力，非常适合用于设计高性能电源管理模块。
2. **电动汽车控制器：** 在电动汽车电子系统中，可以应用于电机控制器模块，提供可靠的功率开关。
3. **工业自动化：** 作为工业自动化设备的电源开关器件，可提供高效的电能转换。

**举例说明：**
SSG4825PE-VB可以被应用于太阳能逆变器模块，负责将太阳能电池产生的直流电转换为交流电。其优越的性能参数使其成为高效、可靠的太阳能逆变器关键组件。