08CNE8N-VB TO263一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

08CNE8N-VB是一款TO263封装的单路N沟道MOSFET。它的主要特性包括80V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，正负值），3V的阈值电压（Vth），在VGS=4.5V时的导通电阻为10mΩ（RDS(ON)），在VGS=10V时的导通电阻为6mΩ（RDS(ON)），以及120A的漏极电流（ID）。该产品采用槽沟道（Trench）技术制造。

**产品简介**
08CNE8N-VB是一款高性能MOSFET，适用于需要高电压和大电流的应用场合。其低导通电阻和高漏极电流使其成为高效能电源管理和开关应用的理想选择。

**详细参数说明**
- 封装：TO263
- 极性：N沟道
- 漏极-源极电压（VDS）：80V
- 栅极-源极电压（VGS）：±20V
- 阈值电压（Vth）：3V
- 导通电阻（RDS(ON)）：10mΩ @ VGS=4.5V，6mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流（ID）：120A
- 技术：槽沟道（Trench）

**适用领域和模块**
- 电源管理：08CNE8N-VB适用于需要高效能电源管理的场合，例如服务器电源、工业电源等。
- 电动工具：由于其高漏极电流和低导通电阻，该产品也适用于电动工具的驱动电路。
- 电动汽车：在电动汽车的电动驱动系统中，08CNE8N-VB可以用作电机控制器的开关元件，实现高效率的能量转换。
- 照明应用：对于需要调光和高效能的LED照明应用，这款MOSFET也是一个不错的选择。

这些只是一些例子，实际上，08CNE8N-VB还可以用于许多其他领域和模块，具体取决于应用的要求和设计的需要。