**16CNE8N-VB TO220 产品简介:**
16CNE8N-VB TO220 是一款单通道 N 沟道 MOSFET,具有80V 的漏极-源极电压(VDS),20V(±V)的栅极-源极电压(VGS),和3V 的阈值电压(Vth)。它采用沟道技术制造,具有优异的特性,适用于各种应用场合。
**16CNE8N-VB TO220 详细参数说明:**
- 漏极-源极电压(VDS):80V
- 栅极-源极电压(VGS):20V(±V)
- 阈值电压(Vth):3V
- 导通电阻(RDS(ON)):9mΩ @ VGS=4.5V;7mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流(ID):100A
- 技术:沟道
**适用领域和模块示例:**
1. **电源模块**:16CNE8N-VB TO220 可以用作高功率电源开关,例如电源适配器、电源管理模块等。
2. **驱动模块**:由于其较高的漏极电流和低导通电阻,适合用于驱动模块,如电机驱动、照明驱动等。
3. **电源开关模块**:在需要高效率和高功率密度的应用中,如工业控制、汽车电子等领域,16CNE8N-VB TO220 可以作为电源开关模块的一部分。
4. **逆变器模块**:在逆变器中,16CNE8N-VB TO220 可以用于控制功率开关管,实现直流到交流的转换。
这些示例仅代表了一部分应用领域,16CNE8N-VB TO220 在实际应用中还有很多其他用途。