16CNE8N-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**16CNE8N-VB TO220 产品简介：**

16CNE8N-VB TO220 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，具有80V 的漏极-源极电压（VDS），20V（±V）的栅极-源极电压（VGS），和3V 的阈值电压（Vth）。它采用沟道技术制造，具有优异的特性，适用于各种应用场合。

**16CNE8N-VB TO220 详细参数说明：**

- 漏极-源极电压（VDS）：80V
- 栅极-源极电压（VGS）：20V（±V）
- 阈值电压（Vth）：3V
- 导通电阻（RDS(ON)）：9mΩ @ VGS=4.5V；7mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流（ID）：100A
- 技术：沟道

**适用领域和模块示例：**

1. **电源模块**：16CNE8N-VB TO220 可以用作高功率电源开关，例如电源适配器、电源管理模块等。
2. **驱动模块**：由于其较高的漏极电流和低导通电阻，适合用于驱动模块，如电机驱动、照明驱动等。
3. **电源开关模块**：在需要高效率和高功率密度的应用中，如工业控制、汽车电子等领域，16CNE8N-VB TO220 可以作为电源开关模块的一部分。
4. **逆变器模块**：在逆变器中，16CNE8N-VB TO220 可以用于控制功率开关管，实现直流到交流的转换。

这些示例仅代表了一部分应用领域，16CNE8N-VB TO220 在实际应用中还有很多其他用途。