12CNE8N-VB TO263一种N-Channel沟道TO263封装MOS管

### 产品简介：

12CNE8N-VB TO263 是一款单N沟道场效应管（MOSFET），具有80V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），3V的阈值电压（Vth），10mΩ@VGS=4.5V和6mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)），以及120A的漏极电流（ID）。采用了Trench工艺。适用于中高功率、低电压的应用场合。

### 参数说明：

- **Package：** TO263
- **Configuration：** Single-N-Channel
- **VDS（漏极-源极电压）：** 80V
- **VGS（栅极-源极电压，±V）：** 20V
- **Vth（阈值电压）：** 3V
- **RDS(ON)（导通电阻）：** 10mΩ@VGS=4.5V，6mΩ@VGS=10V
- **ID（漏极电流）：** 120A
- **Technology（工艺）：** Trench

### 应用示例：

1. **电源模块：** 12CNE8N-VB TO263 可用于中高功率的电源模块，如服务器电源、工业电源等，以提供稳定的电压和电流输出。

2. **电机驱动：** 由于其高电流特性，该器件适用于驱动中高功率电机，如电动汽车的驱动电路中。

3. **工业控制：** 可用于工业领域中的电源开关和控制电路，如工业电源、机械控制等，提供高效能的功率控制。

4. **照明系统：** 适用于LED照明系统的电源开关，实现高效能的功率控制和调光功能。

5. **电池管理：** 可用于电池管理系统中的电源开关和保护电路，提供稳定可靠的电池供电。

以上仅为一些典型应用示例，实际应用取决于具体设计要求和环境。