16CNE8N-VB TO263一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

VBsemi的16CNE8N-VB是一款TO263封装的单N沟道MOSFET，设计用于承受最大80V的漏极-源极电压（VDS）。这款MOSFET具有20V（±）的栅极-源极电压（VGS）和3V的阈值电压（Vth），在不同的VGS下，其导通电阻RDS(ON)为10mΩ（@VGS=4.5V）和6mΩ（@VGS=10V），并且具有120A的漏极电流（ID）。

### 参数说明

- **封装**：TO263
- **构型**：单N沟道
- **最大漏极-源极电压**：80V
- **栅极-源极电压**：20V（±）
- **阈值电压**：3V
- **导通电阻**：10mΩ @ VGS=4.5V，6mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流**：120A
- **技术**：沟道

### 适用领域和模块

1. **电源模块**：由于16CNE8N-VB具有较高的漏极-源极电压和漏极电流能力，适用于电源模块中的开关电源和逆变器，能够提供可靠的功率转换。

2. **电动工具**：在电动工具中，这款MOSFET可以用作驱动电机的开关元件，帮助实现高效率和高功率的电动工具设计。

3. **汽车电子**：在汽车电子系统中，16CNE8N-VB可以用于电动汽车的电动驱动系统，提供高效的功率控制和转换。

4. **工业控制**：用于工业控制系统中的开关电源和电机控制，可实现稳定可靠的功率传输和控制。

5. **电源适配器**：在电源适配器中，这款MOSFET可以用于高效能的开关电源设计，提高能源利用率并减少能源损耗。

以上是对16CNE8N-VB的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的语段形式说明。