08N50C3-VB是一款TO252封装的单N沟道MOSFET。它具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS,±V),3.5V的阈值电压(Vth),在VGS=10V时的导通电阻(RDS(ON))为500mΩ,最大漏极电流(ID)为9A。该产品采用SJ_Multi-EPI技术。
详细参数说明如下:
- 产品型号:08N50C3-VB
- 封装:TO252
- 极性:单N沟道
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):30(±V)
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 导通电阻(RDS(ON)):500mΩ @ VGS=10V
- 最大漏极电流(ID):9A
- 技术:SJ_Multi-EPI
该产品适用于以下领域和模块:
1. 工业控制领域:用于开关电源、变频器、UPS等设备的功率开关控制。
2. 电动汽车领域:用于电动汽车的电池管理系统、电机驱动器等模块。
3. 太阳能逆变器领域:用于太阳能逆变器的DC-AC转换控制。
4. 电源管理模块:用于各种电源管理模块,如稳压器、开关电源等。
以上是08N50C3-VB MOSFET的简介、详细参数说明和适用领域和模块的语段形式举例。