**产品简介:**
103N08N-VB是一款TO251封装的单路N沟道MOSFET。它具有80V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,正负值),3V的阈值电压(Vth),在VGS=4.5V时的导通电阻为8.7mΩ(RDS(ON)),在VGS=10V时的导通电阻为6.4mΩ(RDS(ON)),以及75A的漏极电流(ID)。该产品采用槽沟道(Trench)技术制造。
**详细参数说明:**
- 封装:TO251
- 极性:N沟道
- 漏极-源极电压(VDS):80V
- 栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 导通电阻(RDS(ON)):8.7mΩ @ VGS=4.5V,6.4mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流(ID):75A
- 技术:槽沟道(Trench)
**适用领域和模块:**
- 电源管理:103N08N-VB适用于需要中等电压和大电流的电源管理,例如电源开关、电池管理系统等。
- 电机控制:由于其高漏极电流和低导通电阻,这款MOSFET可以用于电机驱动电路中,实现高效率的电机控制。
- 逆变器:对于需要高效率的逆变器,103N08N-VB可以用作逆变器的关键元件,实现高效率的能量转换。
- 汽车电子:在汽车电子系统中,这款MOSFET可以用于车载电源管理系统、电动汽车驱动系统等。
以上只是一些例子,实际上,103N08N-VB还可以用于许多其他领域和模块,具体取决于应用的要求和设计的需要。