09N03LA-VB是一款单N沟道MOSFET,具有以下主要参数:
- VDS(漏极-源极电压):30V
- VGS(门极-源极电压):20V(±)
- Vth(门极阈值电压):1.7V
- RDS(ON)(导通时的漏极-源极电阻):10mΩ@VGS=4.5V,7mΩ@VGS=10V
- ID(漏极电流):70A
- 技术特点:沟道工艺
产品简介:
09N03LA-VB是一款高性能、高可靠性的单N沟道MOSFET。采用了沟道工艺技术,具有较低的导通电阻和较高的漏极电流,适用于各种高功率要求的场合。
详细参数说明:
1. VDS(漏极-源极电压):30V,可以适应较高的电压环境。
2. VGS(门极-源极电压):20V(±),可靠的门控电压范围。
3. Vth(门极阈值电压):1.7V,可靠的门控特性。
4. RDS(ON)(导通时的漏极-源极电阻):10mΩ@VGS=4.5V,7mΩ@VGS=10V,低导通电阻,有利于减小功耗和提高效率。
5. ID(漏极电流):70A,适用于高功率要求的场合。
6. 技术特点:沟道工艺,提供了较高的性能和可靠性。
应用示例:
09N03LA-VB可以广泛应用于以下领域和模块:
- 电源模块:适用于各种高功率电源开关模块。
- 电动汽车充电桩:可用于电动汽车充电桩中的高功率开关模块。
- 工业控制:适用于工业控制设备中的高功率电源开关等模块。
- 电动工具:适用于各种高功率电动工具中的功率开关模块。
- 高性能电子设备:适用于高性能电子设备中的功率开关模块。
这些示例表明,09N03LA-VB在高功率、高性能要求的场合具有广泛的应用前景。