10D3L-VB一款N-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

10D3L-VB是一款SOP8封装的单路N沟道MOSFET，具有30V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS，±），以及1.7V的阈值电压（Vth）。其在VGS=4.5V时的导通电阻RDS(ON)为11mΩ，在VGS=10V时为8mΩ，最大漏极电流ID为13A。采用槽沟技术（Trench）制造。

产品简介：
10D3L-VB是一款高性能的单路N沟道MOSFET，具有低漏极-源极电压和导通电阻，适用于要求中等功率和可靠性的应用场合。其SOP8封装设计使其易于安装和散热，广泛应用于各种领域和模块中。

详细参数说明：
- 封装：SOP8
- 结构：单路N沟道
- VDS（漏极-源极电压）：30V
- VGS（栅极-源极电压）：20V（±）
- 阈值电压（Vth）：1.7V
- RDS(ON)（导通电阻）：11mΩ @ VGS=4.5V，8mΩ @ VGS=10V
- 最大漏极电流（ID）：13A
- 工艺技术：槽沟技术（Trench）

应用示例：
1. 电源模块：用于电源管理模块和DC-DC转换器中的功率开关。
2. 电源适配器：用于各种电子设备的电源适配器。
3. LED驱动器：用于LED照明系统中的电流控制和驱动。
4. 电动工具：用于小型电动工具的电机驱动。

这些示例表明，10D3L-VB适用于需要低电压和电流驱动的各种中等功率应用领域和模块，特别适合于小尺寸和低功率密度要求的应用场合。