WNM2046 单N沟道 20V 0.71A功率MOSFET晶体管WILLSEM

最新推荐文章于 2021-02-03 17:11:33 发布
最新推荐文章于 2021-02-03 17:11:33 发布
阅读量846 收藏
点赞数
分类专栏： WILLSEM 文章标签： WNM2046 单N沟道 20V 0.71A功率MOSFET晶体管 WNM2046功率晶体管WILLSEM WNM2046 功率晶体管 WNM2046单N沟道 20V 0.71A功率MOSFET晶体管WIL WNM2046功率MOSFET晶体管WILLSEM
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/szriley123/article/details/88869498
版权

单N沟道，20V，0.71A，功率MOSFET

说明

WNM2046是N通道增强型MOS
场效应晶体管。 使用先进的沟槽
技术和设计，提供卓越的RDS（ON）
低栅极电荷。 该设备适合用于
DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2046是无铅的。
2046

特征

海沟技术 FAE:13723714318
超高密度电池设计
出色的导通电阻，可提供更高的直流
极低的阈值电压
小型封装DFN1006-3L
最大额定值

应用

小信号切换
小摩托车司机
曲线
曲线
曲线2
框图

szriley123
关注
  • 0
    点赞
  • 踩
  • 0
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 0
    评论
专栏目录
WNM6001单N沟道 60V 0.50A 功率MOSFET晶体管WILLSEM
szriley123的博客
03-28 1201
WNM6001 单N沟道，60V，0.50A，功率MOSFET, WILLSEM 说明 WNM6001是N通道增强功能MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON） 低栅极电荷。该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。标准产品WNM6001不含铅，不含卤素。 特征 FAE:13723714328 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 ...
WNM3013增强型MOS场效应晶体管WNM3013-3/TR
szriley123的博客
03-27 772
WNM3013增强型MOS场效应晶体管WNM3013-3/TR 小信号N沟道，50V，0.25A，MOSFET 说明 WNM3013是N通道增强型MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽 技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合使用 在小信号开关。标准产品WNM3013 不含铅，不含卤素。 绝对最大额定值 WILLSEM FAE:13723714328 热阻额定值 a表面安装在FR...
WNM2030单N沟道20V0.95A功率MOSFET场效应晶体管WNM2030-3/TR
szriley123的博客
03-26 968
单N沟道，20V，0.95A，功率MOSFET 说明 WNM2030是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON） 低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2030是无铅的无卤 特征 FAE:13723714328 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-723...
IIC协议与电气规范
logan
02-03 8647
一.简介 I2C 总线在物理连接上非常简单，分别由SDA(串行数据线)和SCL(串行时钟线)及上拉电阻组成。I2C通信的基本原理是通过对SCL和SDA线高低电平时序的控制，来产生I2C总线协议所需要的信号进行数据传递。在总线空闲状态时，时钟线和数据线一般被上拉电阻拉高，保持着高电平。I2C通信方式为半双工，只有一根SDA线，同一时间只可以单向通信。I2C (Inter – Integrated Communication, often called as I Squared C or I Two C)..
WNM6002 N通道增强功能MOS场效应晶体管
szriley123的博客
03-28 866
单N沟道，60V，0.30A，功率MOSFET 说明 WNM6002是N通道增强功能MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽 技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合使用 在DC-DC转换，电源开关和充电电路。标准产品WNM6002是无铅的无卤。 特征 FAE:13723714328 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-323 ...
WNM2021-VB一种N沟道SC70-3封装MOS管
01-06
WNM2021-VB是一款N沟道MOSFET，采用SC70-3封装，具有紧凑的尺寸和高效能。这款MOSFET是专为便携式设备和电机控制应用设计的，例如作为负载开关或电池开关，以及用于驱动马达、继电器和电磁铁。 技术特性： 1. 无...
WNM2016-3/TR-VB-MOSFET产品应用与参数解析
11-14
WNM2016-3/TR-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），设计用于DC/DC转换器和便携式应用中的负载开关。这款MOSFET具有以下特性： 1. **无卤素**：符合IEC 61249-2-21定义的无卤素标准，意味着它不含...
WNM2020-3/TR-VB-MOSFET产品应用与参数解析
10-28
WNM2020-3/TR是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），设计用于DC/DC转换器和便携式应用中的负载开关。这款MOSFET具有以下关键特性： 1. **技术特点**： - **无卤素**：符合IEC 61249-2-21定义，确保...
WNM2034-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
最新发布
07-03
WNM2034-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道场效应晶体管（MOSFET），其主要特点是低导通电阻（RDS(ON)）、高可靠性以及符合环保标准。该器件具有以下关键特性： - **无卤素**：根据IEC 61249-2-21定义。 - **...
WNM2023-VB一款SOT23封装N-Channel场效应MOS管
07-03
WNM2023-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道场效应晶体管（MOSFET），其设计符合环保标准，具备低功耗、高效率的特点，适用于多种便携式设备中的电源管理和转换系统。 #### 技术特点 - **无卤素**：根据IEC ...
WNM4153-3/TR增强功能 MOS场效应晶体管WILLSEM
szriley123的博客
03-29 650
WNM4153 N沟道20V 0.88A 小信号MOSFET 说明 WNM4153是N通道增强功能MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽 技术和设计提供优秀的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合用于DC-DC转换应用。 标准产品 WNM4153是无铅的。 特征 沟槽N通道 超高密度电池设计，极低 RDS（ON） 出色的导通电阻和最大直流电压 目前的能力 采用SOT-523的小型封装设计 ...
WNM2077-3/TR单N沟道增强型MOS场效应晶体管WILLSEM
szriley123的博客
03-29 780
说明 WNM2077 单N沟道，20V，0.54A，功率MOSFET WNM2077是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON） SOT-723低栅极电荷。 该设备适合使用 在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2077是无铅的。 特征 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-723...
WPM2341-3/TR P通道增强模式Mosfet WILLSEM
szriley123的博客
03-29 3168
WPM2341 P通道增强模式Mosfet 特征 更高的效率延长电池寿命 微型SOT23-3表面贴装封装 超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON） 应用 DC / DC转换器 负载开关 电池供电系统 液晶显示变频器 便携式电池供电产品的电源管理 功耗特性 WPM2341的封装是SOT23-3，表面安装在FR4板上，使用1平方英尺的焊盘尺寸 2盎司CuRşJA是125ć/ W. 2.功耗...
ESD5304D-10/TR瞬态电压抑制器WILLSEM ESD5304D 单向 4线 超低电容
szriley123的博客
03-27 2659
ESD5304D 4线，单向，超低电容 瞬态电压抑制器 说明 WILLSEM FAE:137-237-14328 ESD5304D是一款超低电容TVS（瞬态电容器）电压抑制器）阵列设计用于保护高速 数据接口。它专门设计用于保护与数据相关的敏感电子元件和传输线由ESD引起的过应力引起（静电放电）。 ESD5304D采用四对超低电压电容控制二极管加一个TVS二极管。ESD5304D可用于提供高达ES...
ESD9B5VLD-2/TR 1线 双向 低电容 瞬态电压抑制器WILLSEM
szriley123的博客
03-27 2352
ESD9B5VLD-2/TR 1线，双向，低电容， 瞬态电压抑制器 说明 ESD9B5VLD是双向瞬态电压抑制器（TVS）保护敏感电子静电放电（ESD）的组件。 它是特别适合手机，PMP，MID，PDA，数码相机和其他电子设备。 ESD9B5VLD可以安全地消除ESD冲击 符合IEC61000-4-2第4级的ESD抗扰度测试。ESD9B5VLD采用SOD-923封装无铅和无卤素。 特征 反向隔...
WPM2026 P沟道增强型MOS场效应晶体管
szriley123的博客
03-27 2292
单P沟道，-20V，-3.2A，功率MOSFET 说明 WPM2026是P沟道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON） 低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电 电路。 标准产品WPM2026是无铅的无卤。 特征 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-23 应用 继电器，电磁铁，电...
WNM2016-3/TR增强型MOS场效应晶体管WILLSEM
szriley123的博客
03-28 2222
N沟道，20V，3.2A，功率MOSFET 描述 WNM2016是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽 技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用 在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2016是无铅的无卤 特征 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-23 应用 继电器，电磁铁，电机，LED...
WS4665D-8/TR单通道负载开关WILLSEM封装DFN2x2-8L
szriley123的博客
03-27 2205
WS4665 6A，14mΩ负载开关，带快速输出放电和可调节的上升时间 描述 WILLSEM FAE: 13723714328 WS4665是一款单通道负载开关提供可配置的上升时间以最小化浪涌 当前。该器件包含一个N沟道MOSFET可以在0.8V至0.8V的输入电压范围内工作 5.5V并且可以支持最大连续电流6A。开关由开/关输入（ON）控制， 它能够直接与低压接口控制信号。在WS4665中，...
WNM2021-VB: 20V N沟道SC70-3封装MOS管，高耐压与ESD防护
WNM2021-VB是一款高性能的N沟道SC70-3封装MOSFET，由Trench FET®技术制造，特别适用于各种便携式设备和工业应用。该器件具有以下关键特性： 1. **环保设计**：符合IEC 61249-2-21标准，不含卤素，对环境友好。 2....
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值