12N80L-TA3-T-VB一种N-Channel沟道TO220封装MOS管

### 产品简介：

12N80L-TA3-T-VB 是一款单N沟道场效应管（MOSFET），具有800V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3.5V的阈值电压（Vth），600mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)），以及9A的漏极电流（ID）。采用了SJ_Multi-EPI工艺。适用于高电压、低功率的应用场合。

### 参数说明：

- **Package：** TO220
- **Configuration：** Single-N-Channel
- **VDS（漏极-源极电压）：** 800V
- **VGS（栅极-源极电压，±V）：** 30V
- **Vth（阈值电压）：** 3.5V
- **RDS(ON)（导通电阻）：** 600mΩ@VGS=10V
- **ID（漏极电流）：** 9A
- **Technology（工艺）：** SJ_Multi-EPI

### 应用示例：

1. **电源开关：** 12N80L-TA3-T-VB 可用于高压、低功率的电源开关，如LED照明的电源开关、电源适配器的开关等。

2. **UPS系统：** 适用于中等功率的UPS系统中，提供备用电源并实现电网切换功能。

3. **工业控制：** 可用于工业领域中的电源开关和控制电路，如工业电源、机械控制等，提供中低功率的功率控制。

4. **电动汽车充电桩：** 适用于中低功率的电动汽车充电桩中，提供稳定的充电电流和电压。

5. **电动工具：** 适用于中低功率电动工具的电源开关和控制电路，如电动钻、电动锤等。

以上仅为一些典型应用示例，实际应用取决于具体设计要求和环境。