17N80C3-VB TO263一款N-Channel沟道TO263封装的场效应MOS管

**17N80C3-VB TO263 产品简介：**

17N80C3-VB TO263 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，具有800V 的漏极-源极电压（VDS），30V（±V）的栅极-源极电压（VGS），和3.5V 的阈值电压（Vth）。它采用了 SJ_Multi-EPI 技术制造，具有高性能和可靠性，适用于各种应用场合。

**17N80C3-VB TO263 详细参数说明：**

- 漏极-源极电压（VDS）：800V
- 栅极-源极电压（VGS）：30V（±V）
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 导通电阻（RDS(ON)）：160mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流（ID）：20A
- 技术：SJ_Multi-EPI

**适用领域和模块示例：**

1. **电源模块**：17N80C3-VB TO263 可以用作高压电源开关，适用于需要高漏极-源极电压和漏极电流的应用，如工业电源、电力电子设备等。
2. **逆变器模块**：在需要高功率密度和可靠性的应用中，如太阳能逆变器、工业控制逆变器等领域，17N80C3-VB TO263 可以作为功率开关器件的一部分。
3. **电动汽车充电桩**：由于其高漏极-源极电压和漏极电流能力，17N80C3-VB TO263 可以用于电动汽车充电桩中的功率开关部分，确保充电效率和安全性。
4. **高压直流传输**：在高压直流输电系统中，17N80C3-VB TO263 可以用于开关模块，实现高效率的电力传输。

这些示例仅代表了一部分应用领域，实际上，17N80C3-VB TO263 在许多其他领域和模块中都有广泛的应用。