### 产品简介:
VBsemi的MOSFET产品13N50W-VB是一款单N沟道MOSFET,采用了SJ_Multi-EPI技术,具有600V的漏极-源极电压(VDS)和11A的漏极电流(ID)能力。该产品在TO3P封装中提供,适用于需要较高电压和电流的功率电子应用。
### 参数说明:
- 封装:TO3P
- 构型:单N沟道
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 导通电阻(RDS(ON)):380mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流(ID):11A
- 技术:SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块:
1. **电源模块**:13N50W-VB适用于高压高电流的开关电源模块,如DC-DC变换器和AC-DC变换器,提供稳定可靠的电力输出。
2. **工业控制**:在工业控制设备中,这款MOSFET可用于逆变器、电源管理单元等模块,提供可靠的功率控制和转换。
3. **电动汽车**:在电动汽车中,这款MOSFET可以用于电机驱动器、电池管理系统等模块,提供高效率和可靠性。
4. **电池管理**:13N50W-VB可用于电池充放电控制、保护等模块,支持高功率密度和能效。
5. **光伏逆变器**:适用于太阳能光伏逆变器,帮助将太阳能转化为可用的电能。
以上是对13N50W-VB MOSFET产品的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的介绍。