### 产品简介
VBsemi的12N50L-TA3-T-VB是一款单N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,具有650V的漏极-源极电压(VDS)和30V的栅极-源极电压(VGS)。该器件的漏极-源极导通电阻(RDS(ON))在VGS=10V时为420mΩ,具有11A的漏极电流(ID)和3.5V的阈值电压(Vth)。
### 参数说明
- **型号**: 12N50L-TA3-T-VB
- **封装**: TO220
- **结构**: 单N沟道
- **VDS(漏极-源极电压)**: 650V
- **VGS(栅极-源极电压)**: 30V(±)
- **Vth(阈值电压)**: 3.5V
- **RDS(ON)(漏极-源极导通电阻)**:
- VGS=10V时:420mΩ
- **ID(漏极电流)**: 11A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块示例
1. **电源模块**: 由于12N50L-TA3-T-VB具有较高的漏极-源极电压和适中的漏极电流,适用于一些中功率的电源模块,如DC-DC变换器和电源管理模块。
2. **家电控制**: 在家电控制领域,MOSFET通常用于开关电路和控制电路。12N50L-TA3-T-VB可用于一些高压家电的控制开关,如空调、电冰箱等。
3. **LED照明**: 由于其较高的漏极-源极电压,12N50L-TA3-T-VB适用于LED照明驱动器和控制器,提供稳定的电流和照明控制。
4. **电动车充电器**: 在电动车充电器中,MOSFET用作开关元件。12N50L-TA3-T-VB可用于电动车充电器的功率开关。
5. **电源管理**: 由于其较高的电压容量和适中的电流,该器件适用于一些电源管理系统中的功率开关和控制电路。
以上领域和模块仅为示例,实际应用取决于具体设计要求和环境。