12N50L-TA3-T-VB一种N-Channel沟道TO220封装MOS管

### 产品简介

VBsemi的12N50L-TA3-T-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有650V的漏极-源极电压（VDS）和30V的栅极-源极电压（VGS）。该器件的漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）在VGS=10V时为420mΩ，具有11A的漏极电流（ID）和3.5V的阈值电压（Vth）。

### 参数说明

- **型号**: 12N50L-TA3-T-VB
- **封装**: TO220
- **结构**: 单N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）**: 650V
- **VGS（栅极-源极电压）**: 30V（±）
- **Vth（阈值电压）**: 3.5V
- **RDS(ON)（漏极-源极导通电阻）**: 
  - VGS=10V时：420mΩ
- **ID（漏极电流）**: 11A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

### 应用领域和模块示例

1. **电源模块**: 由于12N50L-TA3-T-VB具有较高的漏极-源极电压和适中的漏极电流，适用于一些中功率的电源模块，如DC-DC变换器和电源管理模块。
2. **家电控制**: 在家电控制领域，MOSFET通常用于开关电路和控制电路。12N50L-TA3-T-VB可用于一些高压家电的控制开关，如空调、电冰箱等。
3. **LED照明**: 由于其较高的漏极-源极电压，12N50L-TA3-T-VB适用于LED照明驱动器和控制器，提供稳定的电流和照明控制。
4. **电动车充电器**: 在电动车充电器中，MOSFET用作开关元件。12N50L-TA3-T-VB可用于电动车充电器的功率开关。
5. **电源管理**: 由于其较高的电压容量和适中的电流，该器件适用于一些电源管理系统中的功率开关和控制电路。

以上领域和模块仅为示例，实际应用取决于具体设计要求和环境。