### VBsemi 26N50-VB MOSFET 产品概述
VBsemi 26N50-VB 是一款高性能的单 N-通道 MOSFET,设计用于各种功率管理应用。该 MOSFET 封装在 TO3P 封装中,适用于高功率应用。它采用了 SJ_Multi-EPI 技术,具有较低的导通电阻和高电压承载能力,适用于要求高可靠性和高效率的应用场合。
### 详细规格
- **封装:** TO3P
- **配置:** 单 N-通道
- **VDS(漏极-源极电压):** 600V
- **VGS(栅极-源极电压):** ±30V
- **Vth(栅极阈值电压):** 3.5V
- **RDS(ON)(导通电阻):** 190mΩ @ VGS = 10V
- **ID(连续漏极电流):** 20A
- **技术:** SJ_Multi-EPI
### 应用和用例
VBsemi 26N50-VB MOSFET 适用于各种领域和模块:
1. **工业电源系统:**
- **高压直流电源:** 由于其高电压承载能力和低导通电阻,适用于工业级高压直流电源的开关电路。
- **电力因数校正:** 在电力因数校正装置中,可用于控制电流和电压。
2. **电动汽车充电桩:**
- **充电桩控制器:** 用于控制充电桩的功率开关,确保充电效率和安全性。
3. **太阳能逆变器:**
- **逆变器控制:** 在太阳能逆变器中用于控制电流和电压,提高能源转换效率。
4. **工业自动化:**
- **PLC 控制器:** 用于工厂自动化系统中的电力开关和控制。
5. **医疗设备:**
- **X 射线发生器:** 用于控制 X 射线发生器的电源开关,确保精确的 X 射线产生。
VBsemi 26N50-VB MOSFET 具有高可靠性、低导通电阻和高电压承载能力,适用于各种高功率应用,包括工业电源、电动汽车充电桩、太阳能逆变器等。