### 产品简介
**26N50L-T3P-T-VB**是一款单N沟道MOSFET,由VBsemi生产,采用TO3P封装。这款MOSFET具有600V的漏源电压(VDS)和30V(±)的栅源电压(VGS)。其开启阈值电压(Vth)为3.5V,导通电阻(RDS(ON))在栅源电压为10V时为190mΩ,最大漏极电流(ID)为20A。采用SJ_Multi-EPI技术,适用于各种高压应用场景。
### 详细参数说明
| 参数 | 规格 |
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| 封装类型 | TO3P |
| 配置 | 单N沟道 |
| 漏源电压(VDS) | 600V |
| 栅源电压(VGS) | 30V(±) |
| 开启阈值电压(Vth) | 3.5V |
| 导通电阻(RDS(ON)) | 190mΩ@VGS=10V|
| 最大漏极电流(ID) | 20A |
| 技术 | SJ_Multi-EPI |
### 应用领域和模块
1. **电源管理模块**:26N50L-T3P-T-VB MOSFET适用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)等电源管理模块。这些模块需要高效率和高可靠性的开关元件,以减少功率损耗并提高系统性能。
2. **工业控制**:在工业控制应用中,如电机驱动、变频器和伺服驱动器,26N50L-T3P-T-VB MOSFET的高电流和高电压处理能力使其成为理想选择。这些应用需要高效的开关器件来处理高电流和电压,同时保证系统的稳定性和可靠性。
3. **光伏逆变器**:光伏逆变器将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,26N50L-T3P-T-VB MOSFET在这些逆变器中起着关键作用。它能够处理高电压和电流,确保逆变器的高效运行和长寿命。
4. **电动汽车(EV)充电桩**:在电动汽车充电桩中,26N50L-T3P-T-VB MOSFET用于高效的电能转换和控制。其高电压和电流能力确保充电过程的快速性和安全性。
5. **照明控制**:在LED照明和其他高效照明系统中,这款MOSFET被用来调节电流和控制亮度,确保系统的高效和稳定运行。