### 15P10-VB 产品简介
15P10-VB 是一款单通道 P 沟道 MOSFET,具有 -100V 的漏极-源极电压(VDS),20V 的门极-源极电压(VGS,±V),以及 -2V 的门极阈值电压(Vth)。该器件采用沟槽技术制造,具有优秀的性能和可靠性。
### 15P10-VB 详细参数说明
- **VDS(漏极-源极电压):** -100V
- **VGS(门极-源极电压):** 20V(±V)
- **Vth(门极阈值电压):** -2V
- **RDS(ON)(导通时的漏极-源极电阻):**
- 120mΩ @ VGS=4.5V
- 100mΩ @ VGS=10V
- **ID(漏极电流):** -16A
- **技术:** 沟槽技术
### 适用领域和模块示例
- **电源开关模块:** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻,15P10-VB 可以用作电源开关模块中的开关器件,适用于各种 DC-DC 变换器和开关电源。
- **电池保护模块:** 在电池保护电路中,15P10-VB 的特性使其成为控制充放电过程的关键器件,确保电池的安全和稳定性。
- **LED 驱动模块:** 15P10-VB 的高性能特性使其非常适合用于 LED 驱动模块中的开关器件,能够提供高效率和可靠性的 LED 驱动解决方案。
以上仅为示例,实际应用取决于具体设计要求和环境条件。