15P10-VB一款P-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 15P10-VB 产品简介

15P10-VB 是一款单通道 P 沟道 MOSFET，具有 -100V 的漏极-源极电压（VDS），20V 的门极-源极电压（VGS，±V），以及 -2V 的门极阈值电压（Vth）。该器件采用沟槽技术制造，具有优秀的性能和可靠性。

### 15P10-VB 详细参数说明

- **VDS（漏极-源极电压）：** -100V
- **VGS（门极-源极电压）：** 20V（±V）
- **Vth（门极阈值电压）：** -2V
- **RDS(ON)（导通时的漏极-源极电阻）：**
  - 120mΩ @ VGS=4.5V
  - 100mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏极电流）：** -16A
- **技术：** 沟槽技术

### 适用领域和模块示例

- **电源开关模块：** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻，15P10-VB 可以用作电源开关模块中的开关器件，适用于各种 DC-DC 变换器和开关电源。
- **电池保护模块：** 在电池保护电路中，15P10-VB 的特性使其成为控制充放电过程的关键器件，确保电池的安全和稳定性。
- **LED 驱动模块：** 15P10-VB 的高性能特性使其非常适合用于 LED 驱动模块中的开关器件，能够提供高效率和可靠性的 LED 驱动解决方案。

以上仅为示例，实际应用取决于具体设计要求和环境条件。