22N10-VB TO252一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 22N10-VB TO252 MOSFET 产品简介

#### 一、产品简介

VBsemi的22N10-VB TO252是一款单N-沟道MOSFET，采用了Trench技术。该器件具有高漏源电压和适中的导通电阻，适用于需要高电压和中等电流处理能力的功率管理应用。

#### 二、详细参数说明

- **封装 (Package)**: TO252
- **配置 (Configuration)**: 单N-沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 15A
- **技术 (Technology)**: Trench

#### 三、应用领域和模块举例

22N10-VB TO252 MOSFET适用于多种领域和模块，以下是一些具体的应用实例：

1. **电源开关**：由于其高漏源电压和适中的导通电阻，22N10-VB TO252可用作电源开关，控制高压电路的通断，如UPS系统、工业电源等。

2. **电动车充电器**：在电动车充电器中，22N10-VB TO252可用作电源开关，实现高效的充电过程控制，同时保证安全性和稳定性。

3. **电焊机**：在高压高功率设备中，如电焊机，22N10-VB TO252可用于控制功率开关，实现稳定的焊接过程。

4. **LED照明**：在LED照明应用中，22N10-VB TO252可用作LED驱动器的开关器件，提供稳定的电流和高效的能量转换。

5. **工业控制**：在工业控制系统中，22N10-VB TO252可用作电源开关和驱动器，控制各种类型的负载。

通过结合其技术特点和具体应用，22N10-VB TO252 MOSFET提供了一个高效且可靠的解决方案，满足了多种现代电子系统的需求。