### 产品简介:
VBsemi的072N10N-VB是一款TO262封装的单通道N沟道MOSFET,具有100V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,正负)和2.5V的阈值电压(Vth)。该器件采用沟道工艺,具有在VGS=4.5V时RDS(ON)为10mΩ和在VGS=10V时RDS(ON)为9mΩ的低导通电阻。其最大漏极电流(ID)为100A。
### 参数说明:
- **器件类型**:单通道N沟道MOSFET
- **封装**:TO262
- **VDS(漏极-源极电压)**:100V
- **VGS(栅极-源极电压)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:2.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:10mΩ @ VGS=4.5V, 9mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**:100A
- **工艺**:沟道
### 适用领域和模块举例:
1. **电源管理模块**:由于其较高的漏极电压和低导通电阻,072N10N-VB适用于电源管理模块,如开关电源和直流-直流转换器,提供高效的电源控制。
2. **电动汽车充电模块**:在电动汽车充电系统中,这款MOSFET可用于控制充电桩的电能输出,实现高效、安全的电动汽车充电。
3. **电源开关模块**:作为电源开关器件,该MOSFET可用于各种电源开关应用,如开关电源和电源管理系统,实现高效的电源控制和管理。
4. **工业电机控制模块**:在工业电机控制系统中,072N10N-VB可用于控制各种类型的电机,提供高效的电能管理和控制。
以上是对072N10N-VB的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的举例说明。