2N70L-TM3-T-VB一种N-Channel沟道TO251封装MOS管

### 产品简介

VBsemi的2N70L-TM3-T-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，封装在TO251中。这款MOSFET具有较高的漏源电压和适中的导通电阻，适用于中功率开关应用，如电源逆变器、电机驱动器等领域。

### 详细的参数说明

- **型号**: 2N70L-TM3-T-VB
- **封装**: TO251
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 700V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 2400mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 2A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

### 应用领域和模块

1. **电源逆变器**
   - **应用场景**: 用作功率开关元件，用于控制电源逆变器的开关。
   - **模块**: 电源逆变器模块、电力电子转换器。

2. **电机驱动器**
   - **应用场景**: 用于控制电机的开关，实现电机的启停和转向控制。
   - **模块**: 电机驱动器模块、工业自动化系统。

3. **光伏逆变器**
   - **应用场景**: 用于控制光伏电池输出电压的逆变器。
   - **模块**: 光伏逆变器模块、可再生能源系统。

2N70L-TM3-T-VB适用于中功率开关应用，能够提供稳定可靠的性能，在电源逆变器、电机驱动器和光伏逆变器等领域有广泛的应用。