2N80L-TM3-R-VB一种N-Channel沟道TO251封装MOS管

### 产品简介

**2N80L-TM3-R-VB**是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi生产，采用TO251封装。这款MOSFET具有800V的漏源电压（VDS）和30V（±）的栅源电压（VGS）。其开启阈值电压（Vth）为3.5V，导通电阻（RDS(ON)）在栅源电压为10V时为2600mΩ，最大漏极电流（ID）为2A。采用SJ_Multi-EPI技术，适用于中功率应用场景。

### 详细参数说明

| 参数                | 规格                    |
|--------------------|------------------------|
| 封装类型            | TO251                  |
| 配置                | 单N沟道                |
| 漏源电压（VDS）     | 800V                   |
| 栅源电压（VGS）     | 30V（±）                |
| 开启阈值电压（Vth） | 3.5V                   |
| 导通电阻（RDS(ON)） | 2600mΩ@VGS=10V         |
| 最大漏极电流（ID）  | 2A                     |
| 技术                | SJ_Multi-EPI           |

### 应用领域和模块

1. **电源开关**：2N80L-TM3-R-VB MOSFET适用于电源开关应用，如电源适配器、电源管理单元等。其高漏源电压和稳定性能使其能够承受较高的电压和电流负载。

2. **电动车充电桩**：在电动车充电桩中，这款MOSFET可以用作开关元件，控制电流的通断，保证充电过程的稳定性和安全性。

3. **感应加热器**：在感应加热器电路中，2N80L-TM3-R-VB可以用来控制感应线圈的工作状态，实现对加热器的功率调节。其高漏源电压和低导通电阻特性使其能够在高功率加热场景下工作稳定。