IRF7342D2TRPBF-VB一款2个P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

产品名称: IRF7342D2TRPBF-VB

丝印: VBA4658

品牌: VBsemi

参数:
- 2个P—Channel沟道
- 最大耐压: -60V
- 最大电流: -5.3A
- 导通电阻: 58mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 门压阈值: -1~-3V

封装: SOP8

详细参数说明:
IRF7342D2TRPBF-VB是一款P沟道MOSFET，具有两个P沟道沟道，适用于负电压应用。其最大耐压为-60V，最大电流为-5.3A，具有低导通电阻，RDS(ON)为58mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。门压阈值为-1~-3V，适用于广泛的电源管理和开关应用。

应用简介:
这款MOSFET适合用于以下领域和模块:
1. 电源管理模块: IRF7342D2TRPBF-VB可用于电源开关和功率调节，适用于电源逆变器、DC-DC转换器和稳压器等模块。
2. 车载电子模块: 在汽车电子系统中，该MOSFET可用于驱动电机、汽车照明和其他电气设备的开关控制。
3. 工业自动化模块: 由于其高耐压和低导通电阻，IRF7342D2TRPBF-VB适用于工业自动化设备中的开关电源和电机控制。
4. LED照明模块: 作为LED驱动器的开关器件，该MOSFET可用于室内和室外LED照明系统，提供高效的电能转换和调光功能。